Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска высокопроизводительной памяти GDDR5 на основе 50-нанометрового техпроцесса.
Микрочипы памяти GDDR5 производства Samsung
Новая память поддерживает максимальную скорость передачи данных 7,0 Гбит/с, что позволяет создавать более реалистичную графику с максимальной полосой пропускания 28 Гб/с. Эти данные более чем вдвое превышают показатель (12,8 Гб/с) самой быстрой памяти GDDR4.
Разумеется, GDDR5 поддерживает и самые современные форматы хранения данных — Blu-ray и Full HD .
«Самсунг» ожидает, что внедрение 50-нанометрового техпроцесса позволит повысить эффективность производства на 100% по сравнению с технологией 60 нм. Кроме того, чипы GDDR5 (питающее напряжение 1,35 В) потребляют на 20% меньше электроэнергии, чем GDDR4.
Спецификации стандарта GDDR4 предполагают обработку данных и графики с применением технологии синхронизации стробирующих и тактовых импульсов. В GDDR5 используется независимый задающий генератор, которому не нужна синхронизация операций чтения-записи с тактовыми импульсами, что дает значительное увеличение скорости.
Новая память предлагается в виде модулей на 32 Мбит x32; возможна также конфигурация 64 Мбит х32. Ожидается, что доля GDDR5 на рынке графической памяти в 2009 году превысит 20%. Компания «Самсунг» планирует перевести все производство устройств видеопамяти на 50-нанометровый техпроцесс до конца года.